六碳科技
LT-G--5
铜基—单层CVD石墨烯
现货
5cm*10cm
¥800
铜基—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G--5
/
商品说明
铜基石墨烯采用化学气相沉积法,在超高纯铜箔表面通过高温化学反应,沉积不同原子层厚度的石墨烯薄膜。经加工后,可应用于不同的应用产品上。 更多
六碳科技
LT--h-BN-1
铜基底六方氮化硼薄膜
现货
10*10 cm
¥3200
铜基底六方氮化硼薄膜
h-BN
货号:LT--h-BN-1
/
商品说明
铜基底的h-BN薄膜有单层,少层(<10层,5nm),多层(>5nm)多种选择,价格相同,购买时请在备注里直接备注单层,少层或者多层 更多
六碳科技
LT-h--BN-1
铜基底六方氮化硼薄膜
现货
5*10 cm
¥1600
铜基底六方氮化硼薄膜
h-BN
货号:LT-h--BN-1
/
商品说明
铜基底的h-BN薄膜有单层,少层(<10层,5nm),多层(>5nm)多种选择,价格相同,购买时请在备注里直接备注单层,少层或者多层 更多
六碳科技
LT-h-BN-3
石英基底六方氮化硼
现货
10mm*10mm
¥200
石英基底六方氮化硼
h-BN
货号:LT-h-BN-3
/
商品说明
转移的h-BN薄膜有单层,少层(<10层,5nm),多层(>5nm)多种选择,价格相同,购买时请在备注里直接备注单层,少层或者多层 更多
六碳科技
LT-h-BN-4
蓝宝石基底六方氮化硼
现货
10mm*10mm
¥200
蓝宝石基底六方氮化硼
h-BN
货号:LT-h-BN-4
/
商品说明
转移的h-BN薄膜有单层,少层(<10层,5nm),多层(>5nm)多种选择,价格相同,购买时请在备注里直接备注单层,少层或者多层。 更多
六碳科技
LT-h-BN-5
1
六方氮化硼—特殊定制
现货
1
报价
六方氮化硼—特殊定制
h-BN
货号:LT-h-BN-5
/
纯度:1
/
商品说明
特殊规格,例如特殊基底,特殊尺寸,请咨询。 更多
六碳科技
LT-G-1
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
现货
1cm*1cm
¥120
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-1
/
商品说明
该产品为Si/SiO2基底单层石墨烯,是由铜基石墨烯经转移、固化制成。该产品支持层数定制(双层、少层等)。透光率:大于97%;单层覆盖率:大于95%。 更多
六碳科技
LT-G-1
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
现货
1cm*2cm
¥280
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-1
/
商品说明
该产品为Si/SiO2基底单层石墨烯,是由铜基石墨烯经转移、固化制成。该产品支持层数定制(双层、少层等)。透光率:大于97%;单层覆盖率:大于95%。 更多
六碳科技
LT-G-1
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
现货
2cm*2cm
¥560
Si/SiO2基底—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-1
/
商品说明
该产品为Si/SiO2基底单层石墨烯,是由铜基石墨烯经转移、固化制成。该产品支持层数定制(双层、少层等)。透光率:大于97%;单层覆盖率:大于95%。 更多
六碳科技
LT-G-3
硅片基底—单层CVD石墨烯
现货
1cm*1cm
¥120
硅片基底—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-3
/
商品说明
该产品为硅片为基底的单层石墨烯,是由铜基石墨烯经转移、固化制成。单层覆盖率:大于95% 更多
六碳科技
LT-G-4
石英基底—单层CVD石墨烯
现货
1cm*1cm
¥160
石英基底—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-4
/
商品说明
透光率:大于97%
单层覆盖率:大于95%
该产品支持层数定制(双层、少层等)。 更多
六碳科技
LT-G-5-
铜基—单层CVD石墨烯
现货
10cm*20cm
¥3040
铜基—单层CVD石墨烯
Graphene
货号:LT-G-5-
/
商品说明
铜基石墨烯采用化学气相沉积法,在超高纯铜箔表面通过高温化学反应,沉积不同原子层厚度的石墨烯薄膜。经加工后,可应用于不同的应用产品上。 更多
六碳科技
LT-MoS2-1
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
现货
SiO2/Si(300nm氧化层)
¥1080
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-1
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
现货
SiO2/Si(100nm氧化层)
¥1080
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-1
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
现货
SiO2/Si(其他厚度)
报价
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-1
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
现货
SiO2/Si(500nm厚度)
¥1080
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-G-定制
单层CVD石墨烯—定制
七天内
定制
报价
单层CVD石墨烯—定制
Graphene
货号:LT-G-定制
/
商品说明
定制请咨询15670949602。 (1)层数可定制: 实现单层、双层、多层等高质量石墨烯定制服务。 (2) 多种基底石墨烯定制化服务: 为客户提供多种基底石墨烯,如 PDMS、玻璃、石英、云母、硅片、二氧化硅等石墨烯转移服务。 (3) 特殊方法石墨烯定制化服务: 如掺杂石墨烯、SiC超高载流子迁移率石墨烯定制化服务。 更多
六碳科技
LT-WS2-1
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥1680
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-1
/
商品说明
基底:Si/SiO2基底(300nm)
形貌:单层三角单晶晶粒
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT- MoSe2-1
2英寸二硒化钼
七天内
2英寸
¥9000
2英寸二硒化钼
2inch MoSe2
货号:LT- MoSe2-1
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-MoS2-2
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
七天内
蓝宝石(单面抛光)
¥880
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号: LT-MoS2-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-2
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
七天内
蓝宝石(双面抛光)
¥880
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号: LT-MoS2-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-2
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
七天内
光学石英
¥1480
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号: LT-MoS2-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-2
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
七天内
柔性PET
¥1480
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号: LT-MoS2-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-2
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
七天内
硅片
¥1480
单层三角单晶—二硫化钼薄膜
MoS2
货号: LT-MoS2-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoSe2-2
Si/SiO2(300nm氧化层)基底-二硒化钼(孤立晶粒)
七天内
10*10mm
¥1360
Si/SiO2(300nm氧化层)基底-二硒化钼(孤立晶粒)
Si/SiO2基底-二硒化钼(孤立晶粒)
货号:LT-MoSe2-2
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-MoSe2-3
Si/SiO2(其它厚度)基底-二硒化钼(孤立晶粒)
七天内
10*10mm
¥1560
Si/SiO2(其它厚度)基底-二硒化钼(孤立晶粒)
Si/SiO2(其它厚度)基底-二硒化钼(孤立晶粒)
货号:LT-MoSe2-3
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-WS2-2
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥1680
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-2
/
商品说明
基底:Si/SiO2基底
形貌:单层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-WS2-3
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥1680
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
Si/SiO2基底—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-3
/
商品说明
基底:Si/SiO2基底
形貌:多层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-MoSe2-4
Si/SiO2(300nm氧化层)基底-二硒化钼(连续薄膜)
七天内
10*10mm
¥1360
Si/SiO2(300nm氧化层)基底-二硒化钼(连续薄膜)
Si/SiO2(300nm氧化层)基底-二硒化钼(连续薄膜)
货号:LT-MoSe2-4
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-MoSe2-5
Si/SiO2(其他厚度)基底-二硒化钼(连续薄膜)
七天内
10*10mm
¥1560
Si/SiO2(其他厚度)基底-二硒化钼(连续薄膜)
Si/SiO2(其他厚度)基底-二硒化钼(连续薄膜)
货号:LT-MoSe2-5
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-WS2-5
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥880
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-5
/
商品说明
基底:蓝宝石(单面抛光)
形貌:单层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-SnS-1
尺寸:1cm*1cm
SnS单晶晶粒(CVD生长)
七天内
SiO2/Si基底
¥1200
SnS单晶晶粒(CVD生长)
SnS
货号:LT-SnS-1
/
纯度:尺寸:1cm*1cm
/
商品说明
SnS晶粒,大小10~20um,多层单晶晶粒。
基底:云母,石英,蓝宝石,氧化硅片,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-1
尺寸:1cm*1cm
SnS单晶晶粒(CVD生长)
七天内
石英基底
¥1200
SnS单晶晶粒(CVD生长)
SnS
货号:LT-SnS-1
/
纯度:尺寸:1cm*1cm
/
商品说明
SnS晶粒,大小10~20um,多层单晶晶粒。
基底:云母,石英,蓝宝石,氧化硅片,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-1
尺寸:1cm*1cm
SnS单晶晶粒(CVD生长)
七天内
PET基底
¥1200
SnS单晶晶粒(CVD生长)
SnS
货号:LT-SnS-1
/
纯度:尺寸:1cm*1cm
/
商品说明
SnS晶粒,大小10~20um,多层单晶晶粒。
基底:云母,石英,蓝宝石,氧化硅片,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-1
尺寸:1cm*1cm
SnS单晶晶粒(CVD生长)
七天内
蓝宝石基底
¥1200
SnS单晶晶粒(CVD生长)
SnS
货号:LT-SnS-1
/
纯度:尺寸:1cm*1cm
/
商品说明
SnS晶粒,大小10~20um,多层单晶晶粒。
基底:云母,石英,蓝宝石,氧化硅片,PET等。 更多
六碳科技
LT-WS2-6
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥880
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
蓝宝石基底(单抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-6
/
商品说明
基底:蓝宝石(单面抛光)
形貌:单层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-MoSe2-6
蓝宝石(单抛)基底-二硒化钼
七天内
10*10mm
¥1360
蓝宝石(单抛)基底-二硒化钼
蓝宝石(单抛)基底-二硒化钼
货号:LT-MoSe2-6
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-MoSe2-7
蓝宝石(双抛)基底-二硒化钼
七天内
10*10mm
¥1360
蓝宝石(双抛)基底-二硒化钼
蓝宝石(双抛)基底-二硒化钼
货号:LT-MoSe2-7
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-WS2-7
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥880
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-7
/
商品说明
基底:蓝宝石(双面抛光)
形貌:单层三角单晶晶粒
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-WS2-8
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥880
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-8
/
商品说明
基底:蓝宝石(双面抛光)
形貌:多层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-WS2-9
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
七天内
10mm*10mm
¥880
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
蓝宝石基底(双抛)—二硫化钨(WS2)薄膜
货号:LT-WS2-9
/
商品说明
基底:蓝宝石(双面抛光)
形貌:单层连续薄膜
尺寸:10mm*10mm
制造方法:化学气相沉积法
六碳科技的WS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WS2 连续薄膜。
4) 基底:WS2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
更多
六碳科技
LT-MoSe2-8
CVD 二硒化钼-定制
七天内
定制
报价
CVD 二硒化钼-定制
CVD 二硒化钼-定制
货号:LT-MoSe2-8
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商品说明
定制请咨询15670949602
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 更多
六碳科技
LT-SnS-2
1cm*1cm
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
七天内
蓝宝石(单面抛光)
¥1200
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
SnS
货号:LT-SnS-2
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纯度:1cm*1cm
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商品说明
SnS多层连续薄膜。基底:云母,石英,蓝宝石,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-2
1cm*1cm
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
七天内
蓝宝石(双面抛光)
¥1200
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
SnS
货号:LT-SnS-2
/
纯度:1cm*1cm
/
商品说明
SnS多层连续薄膜。基底:云母,石英,蓝宝石,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-2
1cm*1cm
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
七天内
光学石英
¥1200
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
SnS
货号:LT-SnS-2
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纯度:1cm*1cm
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商品说明
SnS多层连续薄膜。基底:云母,石英,蓝宝石,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-2
1cm*1cm
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
七天内
柔性PET
¥1200
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
SnS
货号:LT-SnS-2
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纯度:1cm*1cm
/
商品说明
SnS多层连续薄膜。基底:云母,石英,蓝宝石,PET等。 更多
六碳科技
LT-SnS-2
1cm*1cm
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
七天内
云母
¥1200
SnS多层连续膜(CVD生长多晶膜)
SnS
货号:LT-SnS-2
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纯度:1cm*1cm
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商品说明
SnS多层连续薄膜。基底:云母,石英,蓝宝石,PET等。 更多
六碳科技
LT-WS2-10
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
七天内
PET
报价
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
货号:LT-WS2-10
/
商品说明
基底种类:
SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底,需要定制联系
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 更多
六碳科技
LT-WS2-10
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
七天内
硅片
报价
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
货号:LT-WS2-10
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商品说明
基底种类:
SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底,需要定制联系
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 更多
六碳科技
LT-WS2-10
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
七天内
PI
报价
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
货号:LT-WS2-10
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商品说明
基底种类:
SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底,需要定制联系
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 更多
六碳科技
LT-WS2-10
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
七天内
ITO
报价
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
CVD 二硫化钨薄膜(WS2)
货号:LT-WS2-10
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商品说明
基底种类:
SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底,需要定制联系
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 更多
六碳科技
LT-PtSe2-1
石英基底PtSe2(10mm*10mm)
七天内
10mm*10mm
¥1200
石英基底PtSe2(10mm*10mm)
石英基底PtSe2(10mm*10mm)
货号:LT-PtSe2-1
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
需要可联系:贺老师15670949602
更多
六碳科技
LT-MoS2-3
单层三角单晶—二硫化钼薄膜-定制
七天内
单层三角单晶
报价
单层三角单晶—二硫化钼薄膜-定制
MoS2
货号: LT-MoS2-3
/
商品说明
定制请咨询15670949602无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-Bi2O2Se-1
10mm*10mm
蓝宝石基底-铋氧硒薄膜
七天内
单面抛光
¥900
蓝宝石基底-铋氧硒薄膜
Bi2O2Se
货号:LT-Bi2O2Se-1
/
纯度:10mm*10mm
/
商品说明
Bi2O2Se层厚度可选择2nm,5nm,20nm。 更多
六碳科技
LT-Bi2O2Se-1
10mm*10mm
蓝宝石基底-铋氧硒薄膜
七天内
双面抛光
¥900
蓝宝石基底-铋氧硒薄膜
Bi2O2Se
货号:LT-Bi2O2Se-1
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纯度:10mm*10mm
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商品说明
Bi2O2Se层厚度可选择2nm,5nm,20nm。 更多
六碳科技
LT-Bi2O2Se-3
10mm*10mm
云母基底-铋氧硒薄膜
七天内
云母
¥900
云母基底-铋氧硒薄膜
Bi2O2Se
货号:LT-Bi2O2Se-3
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纯度:10mm*10mm
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商品说明
Bi2O2Se层厚度可选择2nm,5nm,20nm。 更多
六碳科技
LT-PtSe2-2
蓝宝石基底-二硒化铂 PtSe2 (10mm*10mm)
七天内
10mm*10mm
¥1200
蓝宝石基底-二硒化铂 PtSe2 (10mm*10mm)
蓝宝石基底-二硒化铂 PtSe2 (10mm*10mm)
货号:LT-PtSe2-2
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商品说明
该产品有不同层数:双层、3层、4层、5层、6层、7层
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-PtSe2-3
定制基底PtSe2
七天内
10mm*10mm
报价
定制基底PtSe2
定制基底PtSe2
货号:LT-PtSe2-3
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商品说明
需要其他的基底,请联系,贺老师15670949602
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 更多
六碳科技
LT-PdSe2-1
SiO2/Si基底-二硒化钯-300nm
七天内
10mm*10mm
¥1200
SiO2/Si基底-二硒化钯-300nm
SiO2/Si基底-二硒化钯
货号:LT-PdSe2-1
/
商品说明
氧化层:300nm
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。 更多
六碳科技
LT-PdSe2-2
SiO2/Si基底-二硒化钯-100nm
七天内
10mm*10mm
¥1200
SiO2/Si基底-二硒化钯-100nm
SiO2/Si基底-二硒化钯-100nm
货号:LT-PdSe2-2
/
商品说明
氧化层100nm
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。 更多
六碳科技
LT-NiTe2-1
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
七天内
SiO2/Si
¥1200
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
货号:LT-NiTe2-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-NiTe2-1
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
七天内
PET
¥1400
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
货号:LT-NiTe2-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-NiTe2-1
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
七天内
蓝宝石
¥1400
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
货号:LT-NiTe2-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-NiTe2-1
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
七天内
石英
¥1400
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
货号:LT-NiTe2-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-NiTe2-1
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
七天内
其他基底
报价
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
NiTe2 孤立晶粒 二碲化镍
货号:LT-NiTe2-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-Bi2Se3-1
硒化铋 孤立晶粒
七天内
孤立晶粒
¥1200
硒化铋 孤立晶粒
Bi2Se3
货号:LT-Bi2Se3-1
/
六碳科技
LT-PdSe2-4
石英基底-二硒化钯
七天内
10mm*10mm
¥1200
石英基底-二硒化钯
石英基底-二硒化钯
货号:LT-PdSe2-4
/
商品说明
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。 更多
六碳科技
LT-Bi2Se3-2
10mm*10mm
蓝宝石基底—CVD硒化铋连续膜
七天内
蓝宝石基底
¥1200
蓝宝石基底—CVD硒化铋连续膜
Bi2Se3
货号:LT-Bi2Se3-2
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纯度:10mm*10mm
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商品说明
单面抛光蓝宝石基底,可定制大尺寸。 更多
六碳科技
LT- SnS2-1
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
七天内
SiO2/Si
¥1200
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
货号:LT- SnS2-1
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商品说明
该产品具有多种基底::SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等
其他基底,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT- SnS2-1
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
七天内
石英
¥1200
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
货号:LT- SnS2-1
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商品说明
该产品具有多种基底::SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等
其他基底,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT- SnS2-1
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
七天内
PET
¥1200
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
货号:LT- SnS2-1
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商品说明
该产品具有多种基底::SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等
其他基底,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT- SnS2-1
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
七天内
蓝宝石
¥1200
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
货号:LT- SnS2-1
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商品说明
该产品具有多种基底::SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等
其他基底,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT- SnS2-1
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
七天内
其他基底
报价
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
二硫化锡 SnS2 孤立晶粒
货号:LT- SnS2-1
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商品说明
该产品具有多种基底::SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等
其他基底,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-ReS2-1
蓝宝石基底-二硫化铼
七天内
10mm*10mm
¥2000
蓝宝石基底-二硫化铼
蓝宝石基底-二硫化铼
货号:LT-ReS2-1
/
商品说明
二硫化铼(ReS2)是和石墨烯类似的层状二维结构薄膜。
主要用于光电等领域。
六碳科技生产的二硫化铼薄膜采用化学气相沉积法(CVD),在多种基底,例如 氧化硅硅片、光学蓝宝石片等基材上沉积二硫化铼薄膜。 更多
六碳科技
LT-Bi2Te3 -1
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
七天内
SiO2/Si
¥1500
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
货号:LT-Bi2Te3 -1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si(300nm氧化层),光学石英,蓝宝石(单面抛光),蓝宝石(双面抛光),柔性PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-Bi2Te3 -1
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
七天内
石英
¥1500
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
货号:LT-Bi2Te3 -1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si(300nm氧化层),光学石英,蓝宝石(单面抛光),蓝宝石(双面抛光),柔性PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-Bi2Te3 -1
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
七天内
蓝宝石
¥1500
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
货号:LT-Bi2Te3 -1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si(300nm氧化层),光学石英,蓝宝石(单面抛光),蓝宝石(双面抛光),柔性PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-Bi2Te3 -1
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
七天内
PET
¥1500
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
货号:LT-Bi2Te3 -1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si(300nm氧化层),光学石英,蓝宝石(单面抛光),蓝宝石(双面抛光),柔性PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-Bi2Te3 -1
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
七天内
其他基底
报价
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
货号:LT-Bi2Te3 -1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si(300nm氧化层),光学石英,蓝宝石(单面抛光),蓝宝石(双面抛光),柔性PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-BP-1
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
七天内
SiO2/Si
¥1200
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
货号:LT-BP-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-BP-1
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
七天内
石英
¥1200
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
货号:LT-BP-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-BP-1
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
七天内
PET
¥1200
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
黑磷薄膜(BP)10mm*10mm
货号:LT-BP-1
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商品说明
有各种基底:SiO2/Si, 石英,蓝宝石,PET等,需要联系,贺超峰,15670949602 更多
六碳科技
LT-ReS2 -3
石英基底-二硫化铼
七天内
10mm*10mm
¥2000
石英基底-二硫化铼
石英基底-二硫化铼
货号:LT-ReS2 -3
/
商品说明
二硫化铼(ReS2)是和石墨烯类似的层状二维结构薄膜。
主要用于光电等领域。
六碳科技生产的二硫化铼薄膜采用化学气相沉积法(CVD),在多种基底,例如 氧化硅硅片、光学蓝宝石片等基材上沉积二硫化铼薄膜。 更多
六碳科技
LT-ReS2-4
PET基底-二硫化铼
七天内
10mm*10mm
¥2000
PET基底-二硫化铼
PET基底-二硫化铼
货号:LT-ReS2-4
/
商品说明
二硫化铼(ReS2)是和石墨烯类似的层状二维结构薄膜。
主要用于光电等领域。
六碳科技生产的二硫化铼薄膜采用化学气相沉积法(CVD),在多种基底,例如 氧化硅硅片、光学蓝宝石片等基材上沉积二硫化铼薄膜。 更多
六碳科技
LT-SnSe2-1
蓝宝石基底-二硒化锡-薄膜
七天内
10mm*10mm
¥1200
蓝宝石基底-二硒化锡-薄膜
蓝宝石基底-二硒化锡-薄膜
货号:LT-SnSe2-1
/
商品说明
Customization
Samples can can be customized. Contact sales@6carbon.com and tell us your requirements
Introduction
SnSe2 is graphene-like 2D layered material.
SixCarbon SnSe2 film is produced with chemical vapor deposition (CVD) method, depositing monolayer or multilayer films on various substrates, such as SiO2/Si, sapphire and so on. We also supply customized ReS2 products based on customers' requirements or design. 更多
六碳科技
LT-MoS2--5-1
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
蓝宝石(单面抛光)
¥880
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2--5-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-6
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
蓝宝石(双面抛光)
¥880
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-6
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2--5
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
光学石英
¥1480
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2--5
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-5
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
柔性PET
¥1480
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-5
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-4
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
硅片
¥1480
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-4
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-3
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
SOI
¥1580
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-3
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-2
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
PDMS
¥2160
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-5-1
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
七天内
云母
¥1480
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-5-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-Sb2Te3-1
Si/SiO2基底- 碲化锑-薄膜
七天内
5nm
¥1200
Si/SiO2基底- 碲化锑-薄膜
Si/SiO2基底- 碲化锑-薄膜
货号:LT-Sb2Te3-1
/
商品说明
Sb2Te3 拓扑绝缘体薄膜
制造方法:CVD沉积
基底:沉积在蓝宝石和云母上,其他基底可以转移
特性 :拓扑绝缘体薄膜,易氧化
厚度选择 :最薄约5nm,最后50nm左右
注意事项 :易氧化 更多
六碳科技
LT-Sb2Te3-2
石英基底- 碲化锑-薄膜
七天内
5nm
¥1200
石英基底- 碲化锑-薄膜
石英基底- 碲化锑-薄膜
货号:LT-Sb2Te3-2
/
商品说明
Sb2Te3 拓扑绝缘体薄膜
制造方法:CVD沉积
基底:沉积在蓝宝石和云母上,其他基底可以转移
特性 :拓扑绝缘体薄膜,易氧化
厚度选择 :最薄约5nm,最后50nm左右
注意事项 :易氧化 更多
六碳科技
LT-DG-1
铜基—多层石墨烯定制
7到14天内
定制
报价
铜基—多层石墨烯定制
Graphene
货号:LT-DG-1
/
商品说明
定制请咨询15670949602。
(1)层数可定制:
实现单层、双层、多层等高质量石墨烯定制服务。
(2) 多种基底石墨烯定制化服务:
为客户提供多种基底石墨烯,如 PDMS、玻璃、石英、云母、硅片、二氧化硅等石墨烯转移服务。
(3) 特殊方法石墨烯定制化服务:
如掺杂石墨烯、SiC超高载流子迁移率石墨烯定制化服务。 更多
六碳科技
LT-MoS2-4-1
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
SiO2/Si(300nm氧化层)
¥880
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-4-1
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-4-2
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
SiO2/Si(500nm氧化层)
¥1080
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT-MoS2-4-2
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT--MoS2-4
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
SiO2/Si(其他厚度)
¥1080
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜
MoS2
货号:LT--MoS2-4
/
商品说明
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多
六碳科技
LT-MoS2-6
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜-定制
定制
报价
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜-定制
MoS2
货号:LT-MoS2-6
/
商品说明
单层连续薄膜—二硫化钼薄膜-定制,定制详情联系:15670949602无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。 更多